PECVD rendszer
Miért válassz minket?
Megbízható termékminőség
A Xinkyo Company-t professzionális anyagkutatók alapították 2005-ben. Alapítója a Pekingi Egyetemen tanult, és a magas hőmérsékletű kísérleti berendezések és az új anyagkutatási laboratóriumi berendezések vezető gyártója. Ez lehetővé teszi számunkra, hogy kiváló minőségű, alacsony költségű, magas hőmérsékletű berendezéseket biztosítsunk az anyagkutató és -fejlesztő laboratóriumok számára.
Speciális berendezések
Főbb gyártóberendezések: CNC lyukasztógépek, CNC hajlítógépek, CNC gravírozógépek, magas hőmérsékletű sütő CNC esztergák, fekvőgépek, portálmarás, megmunkáló központok, fémlemez, lézervágó gépek, CNC lyukasztógépek, hajlítógépek, önkapacitív hegesztőgépek , argon ívhegesztő gépek, lézeres hegesztő, homokfúvó gépek, automata festéksütők.
Alkalmazások széles skálája
A termékeket főként kerámiában, porkohászatban, 3D nyomtatásban, új anyagok kutatásában és fejlesztésében, kristályanyagokban, fém hőkezelésében, üvegben, új energiájú lítium akkumulátorok negatív elektródáiban, mágneses anyagokban stb. használják.
Széles piac
A XinKyo Furnace éves exportértékesítési bevétele több mint 50 millió, az észak-amerikai piacok (például az Egyesült Államok, Kanada, Mexikó stb.) 30%-át, az európai piacok (például Franciaország, Spanyolország, Németország stb.) pedig 30%-ot tesznek ki. körülbelül 20%; 15% Délkelet-Ázsiában (Japán, Korea, Thaiföld, Malajzia, Szingapúr, India stb.) és 10% az orosz piacon; 10% a Közel-Keleten (Szaúd-Arábia, Egyesült Arab Emírségek stb.), 5% az ausztrál piacon, és a fennmaradó 10%.
Mi az a PECVD rendszer?
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) rendszereket általánosan alkalmaznak a félvezetőiparban vékonyréteg-leválasztási eljárásokhoz. A PECVD technológia magában foglalja a szilárd anyagok szubsztrátumra történő lerakódását az illékony prekurzor gázok plazmakörnyezetbe juttatásával. A PECVD-rendszerek számos előnnyel rendelkeznek, beleértve az alacsony hőmérsékletű feldolgozást, a kiváló film egyenletességét, a magas lerakódási sebességet és az anyagok széles skálájával való kompatibilitást. Ezeket a rendszereket széles körben használják különféle alkalmazásokban, például mikroelektronikában, fotovoltaikában, optikában és MEMS-ben (mikroelektromechanikai rendszerek).
-
![1200C három fűtési zónás PECVD rendszer]()
1200C három fűtési zónás PECVD rendszerAz SK2-CVD-12TPB4 egy csőkemence PECVD rendszerhez, amely 300 W-os vagy 500 W-os RF tápegységből, többcsatornás precíziós áramlási rendszerből, vákuumrendszerből és csőkemencéből áll. Az...Több
A PECVD rendszer előnyei
Alacsonyabb lerakódási hőmérsékletek
A PECVD rendszer alacsonyabb hőmérsékleten üzemeltethető, szobahőmérséklettől 350 fokig, összehasonlítva a standard 600 és 800 fokos CVD hőmérsékletekkel. Ez az alacsonyabb hőmérséklet-tartomány sikeres alkalmazásokat tesz lehetővé, ahol a magasabb CVD-hőmérséklet károsíthatja a bevonandó eszközt vagy hordozót.
Jó konformitás és lépésfedés
A PECVD rendszer jó konformitást és lépcsőfedést biztosít egyenetlen felületeken. Ez azt jelenti, hogy a vékony filmek egyenletesen és egyenletesen hordhatók fel összetett és szabálytalan felületekre, így még kihívást jelentő geometriák esetén is kiváló minőségű bevonat biztosítható.
Alacsonyabb feszültség a vékonyrétegek között
Alacsonyabb hőmérsékleten való működésével a PECVD rendszer csökkenti a különböző hőtágulási vagy összehúzódási együtthatókkal rendelkező vékony filmrétegek közötti feszültséget. Ez segít fenntartani a nagy hatékonyságú elektromos teljesítményt és a rétegek közötti kötést.
A vékonyréteg-folyamat szigorúbb ellenőrzése
A PECVD lehetővé teszi a reakcióparaméterek, például a gázáramlási sebesség, a plazmateljesítmény és a nyomás pontos szabályozását. Ez lehetővé teszi a leválasztási folyamat finomhangolását, ami kiváló minőségű filmeket eredményez a kívánt tulajdonságokkal.
Magas lerakódási arány
A PECVD rendszer magas lerakódási sebességet tud elérni, lehetővé téve az aljzatok hatékony és gyors bevonását. Ez különösen előnyös ipari alkalmazásoknál, ahol gyors termelési sebességre van szükség.
Tisztább energia az aktiváláshoz
A PECVD rendszer folyamatai a plazma segítségével állítják elő a felületi réteg lerakódásához szükséges energiát, így nincs szükség hőenergiára. Ez nemcsak az energiafogyasztást csökkenti, hanem tisztább energiafelhasználást is eredményez.
A PECVD rendszer alkalmazása
A PECVD rendszer abban különbözik a hagyományos CVD-től (kémiai gőzleválasztás), hogy plazmát használ fel rétegek lerakódására a felületre alacsonyabb hőmérsékleten. A CVD-eljárások forró felületekre támaszkodnak, hogy a vegyi anyagokat visszaverjék a hordozóra vagy annak körül, míg a PECVD plazma segítségével diffundál rétegeket a felületre.
A PECVD bevonatok használatának számos előnye van. Az egyik fő előnye, hogy alacsonyabb hőmérsékleten képes rétegeket lerakni, ami csökkenti a bevonandó anyag feszültségét. Ez lehetővé teszi a vékonyréteg-folyamat és a lerakódási sebesség jobb szabályozását. A PECVD bevonatok kiváló film egyenletességet, alacsony hőmérsékletű feldolgozást és nagy áteresztőképességet is biztosítanak.
A PECVD rendszereket széles körben használják a félvezetőiparban különféle alkalmazásokhoz. Mikroelektronikai eszközök, fotovoltaikus cellák és kijelzőpanelek vékony filmrétegeinek leválasztására használják. A PECVD bevonatok különösen fontosak a mikroelektronikai iparban, amely olyan területeket foglal magában, mint az autóipar, a katonai és az ipari gyártás. Ezek az iparágak dielektromos vegyületeket, például szilícium-dioxidot és szilícium-nitridet használnak a korrózió és a nedvesség elleni védőréteg létrehozására.
A PECVD berendezés hasonló a PVD (fizikai gőzlerakódás) folyamatokhoz használthoz, kamrával, vákuumszivattyú(k)kal és gázelosztó rendszerrel. A PVD- és PECVD-folyamatokat egyaránt végrehajtó hibrid rendszerek mindkét világból a legjobbat kínálják. A PECVD-bevonatok hajlamosak a kamra minden felületét bevonni, ellentétben a PVD-vel, amely egy rálátási folyamat. A PECVD berendezések kihasználtsága és karbantartása az egyes folyamatok használati arányától függően változik.
Hogyan készítenek a PECVD-rendszerek bevonatokat?
A PECVD a kémiai gőzlerakódás (CVD) egy változata, amely hő helyett plazmát használ a forrásgáz vagy gőz aktiválására. Mivel a magas hőmérséklet elkerülhető, a lehetséges szubsztrátumok köre kibővül az alacsony olvadáspontú anyagokra – bizonyos esetekben még műanyagokra is. Ráadásul a lerakható bevonóanyagok köre is bővül.
A gőzfázisú leválasztási folyamatokban a plazmát általában úgy állítják elő, hogy alacsony nyomáson feszültséget kapcsolnak a gázba ágyazott elektródákra. A PECVD-rendszerek különböző eszközökkel képesek plazmát előállítani, például rádiófrekvenciás (RF) és középfrekvenciás (MF) közötti impulzusos vagy egyenes egyenáramú tápellátásra. Bármelyik frekvenciatartományt is használjuk, a cél ugyanaz marad: az áramforrás által szolgáltatott energia aktiválja a gázt vagy gőzt, elektronokat, ionokat és semleges gyököket képezve.
Ezek az energikus fajok azután készen állnak arra, hogy reagáljanak és lecsapódnak az aljzat felületén. Például a DLC (gyémántszerű szén), egy népszerű nagy teljesítményű bevonat, akkor jön létre, amikor egy szénhidrogéngázt, például metánt disszociálnak a plazmában, és a szén és a hidrogén rekombinálódik az aljzat felületén, így kialakul a felület. A bevonat kezdeti gócképződésétől eltekintve növekedési sebessége viszonylag állandó, így vastagsága arányos a lerakódási idővel.
Mi a PECVD rendszer működési elve?
Plazmageneráció
A PECVD rendszerek nagyfrekvenciás RF tápegységet használnak alacsony nyomású plazma előállítására. Ez a tápegység izzó kisülést hoz létre a technológiai gázban, amely ionizálja a gázmolekulákat és plazmát hoz létre. A plazma ionizált gázfajtákból (ionok), elektronokból és néhány semleges fajból áll, mind alap, mind gerjesztett állapotban.
Filmlerakás
A szilárd filmréteg az aljzat felületére kerül. Az aljzat különféle anyagokból készülhet, beleértve a szilíciumot (Si), a szilícium-dioxidot (SiO2), az alumínium-oxidot (Al2O3), a nikkelt (Ni) és a rozsdamentes acélt. A film vastagsága szabályozható a leválasztási paraméterek, például a prekurzor gáz áramlási sebességének, a plazma teljesítményének és a leválasztási időnek a beállításával.
Prekurzor gáz aktiválása
A PECVD-kamrába vezetik a prekurzor gázokat, amelyek a filmleválasztáshoz szükséges elemeket tartalmazzák. A kamrában lévő plazma az elektronok és a gázmolekulák között rugalmatlan ütközéseket okozva aktiválja ezeket a prekurzor gázokat. Ezek az ütközések reaktív anyagok, például gerjesztett semleges és szabad gyökök, valamint ionok és elektronok képződését eredményezik.
Kémiai reakciók
Az aktivált prekurzor gázok egy sor kémiai reakción mennek keresztül a plazmában. Ezek a reakciók magukban foglalják az előző lépésben képződött reaktív vegyületeket. A reaktív anyagok egymással és a szubsztrátum felületével reagálva szilárd filmet képeznek. A filmlerakódás kémiai reakciók és fizikai folyamatok, például az adszorpció és a deszorpció kombinációja miatt következik be.
A PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) rendszerek jellemzően alacsony nyomáson működnek, jellemzően 0.1-10 Torr tartományban, és viszonylag alacsony hőmérsékleten, jellemzően 200-500 tartományban. fokozat . Ez azt jelenti, hogy a PECVD nagy vákuumban működik, mivel drága vákuumrendszerre van szükség az alacsony nyomások fenntartásához.
A PECVD alacsony nyomása segít csökkenteni a szóródást és elősegíti a lerakódási folyamat egyenletességét. Ezenkívül minimálisra csökkenti az aljzat károsodását, és sokféle anyag lerakódását teszi lehetővé.
A PECVD rendszerek egy vákuumkamrából, egy gázellátó rendszerből, egy plazmagenerátorból és egy hordozótartóból állnak. A gázszállító rendszer a prekurzor gázokat vezeti be a vákuumkamrába, ahol a plazma aktiválja azokat, és vékony filmréteget képez a hordozón.
A PECVD rendszerek plazmagenerátora általában nagyfrekvenciás rádiófrekvenciás tápegységet használ, hogy izzító kisülést hozzon létre a folyamatgázban. A plazma ezután aktiválja a prekurzor gázokat, elősegítve a kémiai reakciókat, amelyek vékony filmréteg kialakulásához vezetnek a hordozón.
A PECVD nagy vákuumban működik, jellemzően a 0.1-10 Torr tartományban, hogy biztosítsa az egyenletességet és minimálisra csökkentse az aljzat károsodását a leválasztási folyamat során.
Milyen hőmérsékleten működik a PECVD rendszer?
A PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) hőmérséklete szobahőmérséklettől 350 fokig változik. Ez az alacsonyabb hőmérséklet-tartomány előnyös a szokásos CVD-eljárásokhoz (Chemical Vapor Deposition) képest, amelyeket jellemzően 600 és 800 °C közötti hőmérsékleten hajtanak végre.
A PECVD alacsonyabb lerakódási hőmérséklete sikeres alkalmazást tesz lehetővé olyan helyzetekben, ahol a magasabb CVD-hőmérséklet károsíthatja a bevont eszközt vagy hordozót. Alacsonyabb hőmérsékleten üzemelve kisebb feszültséget hoz létre a különböző hőtágulási/összehúzódási együtthatóval rendelkező vékony filmrétegek között, ami nagy hatásfokú elektromos teljesítményt és magas színvonalú kötést eredményez.
A PECVD-t a nanogyártásban használják vékony filmek leválasztására. Lerakódási hőmérséklete 200 és 400 fok között mozog. Ezt választják más eljárások, például az LPCVD (alacsony nyomású kémiai gőzleválasztás) vagy a szilícium termikus oxidációja helyett, ha alacsonyabb hőmérsékletű feldolgozásra van szükség a hőciklussal kapcsolatos problémák vagy az anyagkorlátozások miatt. A PECVD-fóliák általában magasabb marási sebességgel, magasabb hidrogéntartalommal és tűlyukakkal rendelkeznek, különösen vékonyabb filmeknél. A PECVD azonban magasabb lerakódási sebességet biztosít az LPCVD-hez képest.
A PECVD előnyei a hagyományos CVD-vel szemben az alacsonyabb leválasztási hőmérséklet, a jó konformitás és a lépésfedés egyenetlen felületeken, a vékonyréteg-folyamat szigorúbb szabályozása és a magas leválasztási sebesség. A PECVD rendszer plazmát használ a leválasztási reakció energiaellátására, ami alacsonyabb hőmérsékletű feldolgozást tesz lehetővé a tisztán termikus módszerekkel, például az LPCVD-vel összehasonlítva.
A PECVD hőmérséklet-tartománya nagyobb rugalmasságot tesz lehetővé a leválasztási folyamatban, lehetővé téve a sikeres alkalmazásokat különböző helyzetekben, ahol a magasabb hőmérséklet esetleg nem megfelelő.
Milyen anyagokat helyeznek el a PECVD-ben?
A PECVD a Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition rövidítése. Ez egy alacsony hőmérsékletű leválasztási technika, amelyet a félvezetőiparban használnak vékony filmrétegek szubsztrátumokra történő felhordására. A PECVD-vel leválasztható anyagok közé tartozik a szilícium-oxid, a szilícium-dioxid, a szilícium-nitrid, a szilícium-karbid, a gyémántszerű szén, a poli-szilícium és az amorf szilícium.
A PECVD egy CVD reaktorban megy végbe plazma hozzáadásával, amely nagy szabad elektrontartalmú, részben ionizált gáz. A plazmát úgy állítják elő, hogy rádiófrekvenciás energiát alkalmaznak a reaktorban lévő gázra. A plazmában lévő szabad elektronokból származó energia disszociálja a reaktív gázokat, ami kémiai reakcióhoz vezet, amely filmréteget képez a hordozó felületén.
A PECVD alacsony hőmérsékleten, jellemzően 100 fok és 400 fok között végezhető, mivel a plazmában lévő szabad elektronokból származó energia disszociálja a reaktív gázokat. Ez az alacsony hőmérsékletű leválasztási módszer alkalmas hőmérséklet-érzékeny eszközökhöz.
A PECVD által letétbe helyezett fóliák többféleképpen alkalmazhatók a félvezetőiparban. Elszigetelő rétegként használják vezető rétegek között, felület passziválására és készülék tokozására. A PECVD filmek kapszulázóként, passziváló rétegként, kemény maszkként és szigetelőként is használhatók eszközök széles körében. Ezenkívül a PECVD filmeket optikai bevonatokban, rádiófrekvenciás szűrőhangolásban és áldozati rétegként használják a MEMS-eszközökben.
A PECVD azt az előnyt kínálja, hogy rendkívül egyenletes sztöchiometrikus fóliákat készít alacsony feszültséggel. A film tulajdonságai, mint például a sztöchiometria, a törésmutató és a feszültség, az alkalmazástól függően széles tartományban hangolhatók. Más reaktáns gázok hozzáadásával a film tulajdonságainak tartománya bővíthető, lehetővé téve olyan filmek lerakódását, mint a fluorozott szilícium-dioxid (SiOF) és a szilícium-oxikarbid (SiOC).
A PECVD kritikus folyamat a félvezetőiparban vékony filmrétegek felvitelére, a vastagság, a kémiai összetétel és a tulajdonságok pontos szabályozásával. Széles körben használják szilícium-dioxid és más anyagok leválasztására hőmérséklet-érzékeny eszközökben.
Mi a különbség a PECVD és a CVD között?
A PECVD (plazmával javított kémiai gőzleválasztás) és a CVD (kémiai gőzleválasztás) két különböző technika, amelyet vékony filmrétegek szubsztrátumra történő felvitelére használnak. A PECVD és a CVD közötti fő különbség a leválasztási folyamatban és az alkalmazott hőmérsékletben rejlik.
A CVD egy olyan folyamat, amely forró felületeken támaszkodik, hogy a vegyi anyagokat visszaverje a hordozóra vagy annak körül. A PECVD-hez képest magasabb hőmérsékletet használ. A CVD magában foglalja a prekurzor gázok kémiai reakcióját a hordozó felületén, ami egy vékony film lerakódásához vezet. A CVD-bevonatok lerakódása áramló gázhalmazállapotban történik, ami egy diffúz, többirányú leválasztás. Kémiai reakciókat foglal magában a prekurzor gázok és a hordozó felülete között.
Másrészt a PECVD hideg plazmát használ a rétegek felületre történő lerakására. A CVD-hez képest nagyon alacsony leválasztási hőmérsékletet használ. A PECVD magában foglalja a plazma használatát, amelyet úgy hoznak létre, hogy nagyfrekvenciás elektromos mezőt alkalmaznak egy gázra, jellemzően prekurzor gázok keverékére. A plazma aktiválja a prekurzor gázokat, lehetővé téve, hogy reakcióba lépjenek, és vékony filmként lerakódjanak a hordozóra. A PECVD bevonatok lerakódása helyszíni leválasztással történik, mivel az aktivált prekurzor gázok a hordozó felé irányulnak.
A PECVD bevonatok használatának előnyei közé tartozik az alacsonyabb lerakódási hőmérséklet, ami csökkenti a bevonandó anyag feszültségét. Ez az alacsonyabb hőmérséklet lehetővé teszi a vékonyréteg-folyamat és a lerakódási sebesség jobb szabályozását. A PECVD-bevonatok széles körben alkalmazhatók, beleértve a karcolásgátló rétegeket az optikában.
A PECVD és a CVD különböző technikák vékony filmek lerakására. A CVD forró felületeken és kémiai reakciókon alapul, míg a PECVD hideg plazmát és alacsonyabb hőmérsékletet használ a leválasztáshoz. A PECVD és a CVD közötti választás az adott alkalmazástól és a bevonat kívánt tulajdonságaitól függ.
A PECVD rendszerek működése
A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) olyan folyamat, amelyben egy gázelegy reakcióba lép szilárd termékké, amely bevonatként kerül le a szubsztrátum felületére. A CVD-vel előállítható bevonatok változatosak: szigetelő, félvezető, vezetőképes vagy szupervezető bevonatok; hidrofil vagy hidrofób bevonatok, ferroelektromos vagy ferromágneses rétegek; hőnek, kopásnak, korróziónak vagy karcolásnak ellenálló bevonatok; fényérzékeny rétegek stb. Különféle módszereket fejlesztettek ki a CVD végrehajtására, amelyek különböznek a reakció aktiválásának módjától. Általánosságban elmondható, hogy a CVD minden formája nagyon homogén felületi bevonatokat eredményez, különösen hasznos háromdimenziós részeken, még hézagok vagy szabálytalan felületek esetén is, amelyek nehezen hozzáférhetők. A plazmával javított kémiai gőzleválasztásnak (PECVD) azonban további előnye van a termikusan aktivált CVD-vel szemben, mivel alacsonyabb hőmérsékleten is képes működni.
A plazmabevonatok felvitelének nagyon hatékony módja a munkadarabok PECVD-rendszer vákuumkamrájába történő elhelyezése, ahol a nyomás körülbelül {{0}},1 és 0,5 millibar közé esik. Gázáramot vezetnek be a kamrába, hogy lerakják a felületre, és áramütést alkalmazva gerjesztik a gázelegy atomjait vagy molekuláit. Az eredmény egy olyan plazma, amelynek komponensei sokkal reaktívabbak, mint a normál gázállapotban, ami lehetővé teszi a reakciók lezajlását alacsonyabb hőmérsékleten (100 és 400 fok között), növeli a lerakódási sebességet, sőt bizonyos esetekben még növeli is bizonyos reakciók hatékonyságát. A folyamat a PECVD rendszerben folytatódik, amíg a bevonat el nem éri a kívánt vastagságot, és a reakció melléktermékeit kivonják a bevonat tisztaságának javítása érdekében.
Tanúsítványaink
A mi gyárunk
A Xinkyo Company-t professzionális anyagkutatók alapították 2005-ben. Alapítója a Pekingi Egyetemen tanult, és a magas hőmérsékletű kísérleti berendezések és az új anyagkutatási laboratóriumi berendezések vezető gyártója. Ez lehetővé teszi számunkra, hogy kiváló minőségű, alacsony költségű, magas hőmérsékletű berendezéseket biztosítsunk az anyagkutató és -fejlesztő laboratóriumok számára. Termékeink közé tartoznak a magas hőmérsékletű kemencék, csőkemencék, vákuumkemencék, kocsikemencék, emelőkemencék és egyéb komplett berendezési készletek. Kiváló dizájnjának, megfizethető árának és ügyfélszolgálatának köszönhetően a Xinkyo elkötelezett amellett, hogy világelső legyen a magas hőmérsékletű berendezések anyagtudományi kutatásában.
Végső GYIK útmutató a PECVD rendszerhez
Mint Kína egyik vezető pecvd rendszer gyártója és beszállítója, szeretettel várjuk, hogy kiváló minőségű pecvd rendszert vásároljon itt gyárunkból. Minden termékünk kiváló minőségű és versenyképes áron.